| 圖片 |
產品資訊 |
詢價 |
|
|
| Description | GTR模塊 | | 技術指標 | 450V/20A/6U |
|
|
| Part No： |
94370 |
| Product No： |
MG25M1BK1 |
| 製造廠商： |
TOSHIBA
|
| 說 明： |
GTR Module Silicon NPN Triple Diffused Type (原裝二手品/實物拍照) |
| 所在分類： |
32﹒GTR+模塊 |
| 技術資料： |
PDF目錄 --
暫無
|
製造廠商資料 --
|
|
| Description | GTR Module Silicon NPN Triple Diffused Type (原裝二手品/實物拍照) | | 技術指標 | 1000V/25A | | 重量 | |
|
|
| Part No： |
164494 |
| Product No： |
2SK1642 |
| 製造廠商： |
TOSHIBA
|
| 說 明： |
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technolo |
| 所在分類： |
32﹒其它系列場效電晶體 |
| 技術資料： |
PDF目錄 --
暫無
|
製造廠商資料 --
暫無
|
|
| Description | These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technolo | | Pins/Package | TO-220 | | Pd(max.) | 313MW |
|
|
|
| Description | Field Effect Transistor | | Pins/Package | TO-3P | | Pd(max.) | 125W |
|
|
| Part No： |
93330 |
| Product No： |
TK20J60U(F) |
| 製造廠商： |
TOSHIBA
|
| 說 明： |
TOSHIBA_Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type |
| 所在分類： |
32﹒TOSHIBA_功率場效電晶體 |
| 技術資料： |
PDF目錄 --
暫無
|
製造廠商資料 --
|
|
| Description | TOSHIBA_Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type | | Pins/Package | 3P/TO-3P(N) | | Pd(max.) | 190W |
|
|
|
| Description | 功率場效應電晶體（矽控P溝道MOS型） | | Pins/Package | TO-220NIS | | Pd(max.) | 35W |
|
|
|
| Description | 功率場效應電晶體（矽控N溝道MOS型） | | Pins/Package | TO-220NIS | | Pd(max.) | 40W |
|
|
| Part No： |
101827 |
| Product No： |
2SJ168TE85LF |
| 製造廠商： |
TOSHIBA
|
| 說 明： |
TOSHIBA_Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type |
| 所在分類： |
32﹒TOSHIBA_功率場效電晶體 |
| 技術資料： |
PDF目錄 --
暫無
|
製造廠商資料 --
|
|
| Description | TOSHIBA_Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type | | Pins/Package | 3P/TO-236 | | Pd(max.) | 200mW |
|
|
|
| Description | Field Effect Transistor | | Pins/Package | TO-3P | | Pd(max.) | 125W |
|
|
| Part No： |
112633 |
| Product No： |
J20A10M |
| 製造廠商： |
TOSHIBA
|
| 說 明： |
ld Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSVI) |
| 所在分類： |
32﹒TOSHIBA_功率場效電晶體 |
| 技術資料： |
PDF目錄 --
暫無
|
製造廠商資料 --
|
|
| Description | ld Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSVI) | | Pins/Package | 3P/TO-220F | | Pd(max.) | 35W |
|
