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產品資訊 |
詢價 |
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| Description | 濱松_光接收二極體 | | λP(nm) | 560nm | | Vr | 5V |
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| Description | 濱松_光接收二極體 | | λP(nm) | 560nm | | Vr | 5V |
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| Description | 濱松_Si photodiode | | λP(nm) | 960nm | | Vr | 5V |
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| Description | 濱松_光接收二極體 | | λP(nm) | 920nm | | △θ(deg) | |
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| Description | 濱松_Photo IC Diode |
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| Description | 濱松_光接收二極體 | | λP(nm) | 700nm | | △θ(deg) | |
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| Description | Photo IC Diode | | λP(nm) | 560 | | △θ(deg) | |
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| Description | Photo IC Diode | | λP(nm) | 960 | | △θ(deg) | |
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| Part No： |
119513 |
| Product No： |
S1226-18BK |
| 製造廠商： |
HAMAMATSU
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| 說 明： |
Si Photodiode, For UV to Visible, Precision Photometry, Suppressde IR sensitivity |
| 所在分類： |
23﹒HAMAMATSU_光接收二極體 |
| 技術資料： |
PDF目錄 --
暫無
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製造廠商資料 --
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| Description | Si Photodiode, For UV to Visible, Precision Photometry, Suppressde IR sensitivity | | λP(nm) | 720nm | | △θ(deg) | |
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| Description | Si PIN Photodiode | | λP(nm) | 320-1100nm | | △θ(deg) | |
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