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紅外線發射/光接收元件  分類下共有 [ 15 個小分類 ]
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9﹒OSRAM_光接收電晶體 ( 4 ) 10﹒HAMAMATSU_光接收二極體 ( 114 )
11﹒OPTEK_光接收二極體 ( 4 ) 12﹒KODENSHI_光接收二極體 ( 4 )
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15﹒光接收(遙控)模組 ( 36 )

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圖片 產品資訊 詢價
5mm-940-40  
Part No: 109231
Product No: 5mm-940-40
製造廠商:
說  明: 940nm IR LED
所在分類: 23﹒紅外線發射二極體
技術資料: PDF目錄 -- 暫無 製造廠商資料 --
Description940nm IR LED
Po (mW)120mW
Vf@lf(mA)2.2V@50mA
數 量:
AEPX65  
Part No: 68835
Product No: AEPX65
製造廠商:
說  明: Centronic 光電二極體
所在分類: 23﹒光接收二極體
技術資料: PDF目錄 -- 暫無 製造廠商資料 --
DescriptionCentronic 光電二極體
λP(nm)900nm
Vr5V
數 量:
ALS-PT19-315C/L177/TR8  
Part No: 97745
Product No: ALS-PT19-315C/L177/TR8
製造廠商: EVERLIGHT
說  明: 環境光源感測器 -波長630nm 390-700nm
所在分類: 23﹒光接收電晶體
技術資料: PDF目錄 -- 暫無 製造廠商資料 --
Description環境光源感測器 -波長630nm 390-700nm
△θ(deg)60±5℃
λP(nm)630 nm
數 量:
BIR-BM1341  
Part No: 31890
Product No: BIR-BM1341
製造廠商: BRTLED
說  明: F3 紅外線發射二極體
所在分類: 23﹒紅外線發射二極體
技術資料: PDF目錄 -- 暫無 製造廠商資料 --
DescriptionF3 紅外線發射二極體
Po (mW)100mW
Vf@lf(mA)1.5V/50mA
數 量:
BIR-BM13E4G-2  
Part No: 98422
Product No: BIR-BM13E4G-2
製造廠商: BRTLED
說  明: F5 紅外線發射二極體
所在分類: 23﹒紅外線發射二極體
技術資料: PDF目錄 -- 暫無 製造廠商資料 --
DescriptionF5 紅外線發射二極體
Po (mW)100mW
Vf@lf(mA)1.25Vf (If=50mA)
數 量:
BIR-BM13J4G  
Part No: 31891
Product No: BIR-BM13J4G
製造廠商: BRTLED
說  明: F5 紅外線發射二極體
所在分類: 23﹒紅外線發射二極體
技術資料: PDF目錄 -- 暫無 製造廠商資料 --
DescriptionF5 紅外線發射二極體
Po (mW)100mW
Vf@lf(mA)1.5V/50mA
數 量:
BIR-BM18E4G-2  
Part No: 35594
Product No: BIR-BM18E4G-2
製造廠商: BRTLED
說  明: F5 紅外線發射二極體-藍
所在分類: 23﹒紅外線發射二極體
技術資料: PDF目錄 -- 暫無 製造廠商資料 --
DescriptionF5 紅外線發射二極體-藍
Po (mW)100mW
Vf@lf(mA)1.25Vf (If=50mA)
數 量:
BP103  
Part No: 78202
Product No: BP103
製造廠商: OSRAM
說  明: NPN Silicon-Phototransistor
所在分類: 23﹒光接收電晶體
技術資料: PDF目錄 -- 暫無 製造廠商資料 --
DescriptionNPN Silicon-Phototransistor
Light Cur. (mA)50mA
△θ(deg)±25
數 量:
BPT-BP0341  
Part No: 95755
Product No: BPT-BP0341
製造廠商:
說  明: 3mm 光接收電晶體
所在分類: 23﹒光接收電晶體
技術資料: PDF目錄 -- 暫無 製造廠商資料 --
Description3mm 光接收電晶體
Light Cur. (mA)4.5mA
△θ(deg)30
數 量:
BPW24R  
Part No: 57169
Product No: BPW24R
製造廠商: VISHAY
說  明: Silicon PIN Photodiode
所在分類: 23﹒光接收二極體
技術資料: PDF目錄 -- 暫無 製造廠商資料 --
DescriptionSilicon PIN Photodiode
λP(nm)900
△θ(deg)±12
數 量:
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